В основе разработки лежит способность ячеек памяти восстанавливаться под воздействием высоких температур. Исследователи предложили подвергнуть ячейки краткосрочному сильному нагреванию (несколько миллисекунд при температуре 800° С). Утверждается, что после такой процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрастет с десяти тысяч до ста миллионов и более.

"Нагреватели" было решено расположить прямо на схеме таким образом, чтобы каждый из них охватывал лишь небольшую группу ячеек. Вводить в действие "нагреватели" планируется поочередно. При этом устройство, в котором задействована плата, — например, смартфон, — должно быть подключено к источнику питания, но при этом пребывать в неактивном состоянии.

Более подробно рассказать о разработке исследователи из Macronix планируют на конференции IEDM, которая состоится в Сан-Франциско 10-12 декабря.

Флэш-память используется в мобильных устройствах, SSD-дисках, USB-накопителях. Существуют различные методы продления срока ее службы. Один из них, получивший название "Wear levelling" ("Нивелирование износа") подразумевает поочередное использование всех сегментов памяти вместо постоянной работы с одними и теми же ячейками.